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1310nm 半導體光放大器(SOA-COC)

本產品為燒結在特殊熱沉上的 1310nm 半導體光放大器芯片(簡稱為 SOA-COC) ,并通過真空或充氮氣等方式實現密封封裝。SOA-COC 燒結過程通過熱偶嚴格控制燒結溫度實現。

概述

本產品為燒結在特殊熱沉上的 1310nm 半導體光放大器芯片(簡稱為 SOA-COC) ,并通過真空或充氮氣等方式實現密封封裝。SOA-COC 燒結過程通過熱偶嚴格控制燒結溫度實現。

產品應用

     高速中長距離光通信系統

     高靈敏度光傳感設備

     激光雷達應用

極限工作參數

參數

符號

型值

單位

存儲溫

Tstg

-45

-

90

°C

貯相對濕度

RHstg

5

-

85

%

芯工作溫度

TC

20

-

75

°C

向電流(CW)

IF

-

-

500

mA

向電壓(CW)

VR

-

-

2

V

ESD(HBM)

ESDTH

2000

-

-

V

最大輸入光功率

PIN(MAX)

-

+13

-

dBm

光電特性(室溫, BOL,其他條件特別注明)

參數

符號

測試條件

型值

單位

SOA溫溫度

TSET

CW

40

-

50

°C

SOA作電流

ISOA

CW

-

-

200

mA

SOA作電壓

VF

CW;ISOA=120mA; TSET=40°C

 

-

 

-

2.0

V

ASE輸出光功率(單邊)

PASE

CW;TSET=25°C

-

2.0

-

mW

水平發散角

θ//

CW

-

-

30

deg

垂直發散

θ

CW

-

-

30

deg

光放大特性


參數

符號

測試條件

型值

單位

 

 

號增益

 

 

G

CW;ISOA=120mA;TSET=4 C;PIN=-25dBm

15

 

-

22

dB



CW;ISOA=120mA;TSET=4 C;PIN=-25dBm;EOL

14

 

-

23

dB

和輸出功率

PS

CW;ISOA=120mA; TSET=40°C

7.0

 

-

 

-

dBm

偏振相關增益

PDG

CW;ISOA=120mA; TSET=40°C

 

-

 

-

1.5

dB

噪聲系數

NF

CW;ISOA=120mA; TSET=40°C

 

-

 

-

7.0

dB

敏電阻值

Rset

TC=25°C

9.5

10

10.5

Ω

熱敏電阻B系數

B


3500

3900

4300

K

產品結構尺寸圖(單位:  mm)

產品由 AlN 熱沉(大小 2mm*1.1mm*0.45mm)、 SOA 芯片和熱敏電阻(鍵合在 AlN 上)組成, 產品結構示意圖和熱沉尺寸圖如下圖所示。

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產品包裝、標識

產品包裝、標識包含:產品型號、序列號、數量、批次號等。

訂購信息


產品型號

產品描述

HS1310-CA-001

Semiconductor Optical Amplifier-COC for 1.3um optical amplifier

版本歷

版本編

2023/2/7

1.0

All

初版發布













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